LG设计氧化半导体TFT驱动柔性有机EL

　　韩国LG电子开发出了TFT材料为化物半导体IGZO（In-Ga-Zn-O）地柔性有机EL面板，并在“第七届International Meeting on Information Display（IMID 2007）”（论文编号：9-1）上做了公开发表。这回开发地技术是在100μm厚地不锈钢底板上形成IGZO TFT和有机EL。屏幕尺寸为3.5英寸，像素数为176×220地QCIF＋。LG电子在开发者见面会上展示了试制地面板。

　　LG电子表示，“氧化物半导体TFT地可靠性及迁移率比有机TFT、非结晶Si-TFT要高，均一性优于低温多结晶Si-TFT，因此是柔性有机EL驱动元件地真正候选”。

　　该公司06年4月开始开发由透明氧化物半导体IGZO TFT驱动地有机EL面板，在同年12月地“International Display Workshops（IDW）”上做了单色面板地论文发表和彩色面板地演示。之后在07年5月地“Society for Information Display（SID）”上发布了将彩色面板地影像显示性能从最初约5帧/秒提高到60帧/秒地试制面板。当时运用地是0.63mm地玻璃底板（美国康宁制造）。

　　运用不锈钢底板时，为确保底板表面地平坦性，首先形成地是有机物地平坦化膜。在之后进行地栅极绝缘膜形成等需要高温处理地工序中，为确保该平坦化膜不受裂纹等地影响重新开发了材料和工艺。另外，封装运用了韩国三星化学开发地塑料绝缘膜。

　　开发者见面会上公开地柔性有机EL面板曲率半径为6cm。论文发表过程中还运用录像介绍了：即使弯曲到曲率半径4cm，IGZOTFT地特性特点也不会改变，以及用手持弯曲面板，依然可以正常显示地实验。

　　有机EL材料运用地是低分子材料。另外由于不锈钢底板不透明，所以采纳使用了从TFT相反一侧获取光地顶部发光结构（Top Emission）。TFT为顶栅结构，栅极绝缘膜运用SiOx，利用原有地光刻技术和湿法刻蚀技术制成。该不锈钢底板上地IGZO TFT迁移率为6.7cm2·V-1·s-1，ON/OFF比为3.5×105，亚阈值斜率（S值）为0.61V/dec。

　　这回地技术是由韩国国家研究机关——韩国电子通信研究院（ETRI：Electronics and Telecommunications Research Institute）支持地国家项目“利用透明电子原件地智能窗（Smart Windows）”地成果。

　　点评：如果没记错，昨天日本人已经开发出无机EL了。